​Microchip расширяет семейство силовой электроники SiC

-
19:15
91
​Microchip расширяет семейство силовой электроники SiC

Microchip Technology расширила свой портфель силовых модулей из карбида кремния (SiC) для высокомощных систем управления, привода затвора и силовых ступеней. Семейство SiC компании Microchip включает силовые модули на основе Schottky Barrier Diode (SBD) в версиях 700, 1200 и 1700 вольт. Новое семейство силовых модулей включает в себя различные топологии, в том числе двойной диод, полномостовой, фазовый, двойной общий катод и 3-фазный мост, а также предлагает различные варианты токов и корпусов. Модули интегрируют несколько матриц SiC с возможностью смешивания и согласования материала подложки и опорной плиты в одном модуле, что, по мнению Microchip, упрощает конструкцию, максимизирует эффективность переключения, уменьшает тепло и сокращает площадь, занимаемую системой.

3-фазная коррекция коэффициента мощности 30 кВт в Вене, дискретные SiC и эталонные конструкции/платы приводов SP3/SP6LI обеспечивают инструменты, помогающие сократить время цикла разработки. Недавно добавленное семейство цифровых программируемых контроллеров AgileSwitch дополнительно поддерживает ускорение процесса перехода от стадии проектирования к производству.

«Мы продолжаем фокусироваться на предоставлении надежных и инновационных решений», — сказал Леон Гросс (Leon Gross), вице-президент подразделения компании Microchip по производству дискретных продуктов. «От определения до выпуска продукта, наша технология SiC обеспечивает превосходную надежность и прочность, помогая разработчикам силовых систем обеспечить длительный срок службы без снижения производительности». 

RSS
Нет комментариев. Ваш будет первым!
Загрузка...